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ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S
—
STEALTH? Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
diF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
Figure
4.
ta
and
t
b
Curves vs diF/dt
Figure
5.
Maximum
R
everse
R
ecovery
C
urrent
vs
Forward Current
Figure
6.
Maximum Reverse Recovery Current
vs
diF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
30
25
20
00.5 1.0 1.25 2.0 2.250.75 1.5 1.75
175oC
25oC
100oC
125oC
150oC
15
10
5
10
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
100 200 500 600300
400
1000
1
0.1
175oC
25oC
100oC
4000
75oC
150oC
125oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0
20
40
60
80
100
5110
52025
30
t, RECOVERY TIMES (ns)
tb
AT
d
iF/dt =
2
00A/μs, 500A/μs, 800A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
ta
AT
d
iF/dt =
200
A/μs,
500A
/μs, 800A/μs
0
20
40
60
80
100
t, RECOVERY TIMES (ns)
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
tb
AT I
F
= 30A, 15A, 7.5A
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
ta
AT I
F
= 30A, 15A, 7.5A
IF, FORWARD CURRENT (A)
2
6
8
10
12
14
16
I
rr
,
MAX
REVERSE RECOVERY
CURRENT
(
A)
diF/dt =
800A/μs
diF/dt =
50
0A/μs
diF/dt
=
200A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
015
0152025
30200
4
diF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
0
5
10
15
20
25
1000
1600
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 7.5A
IF
= 15A
1400
400
600 800
1200
I
rr
, MAX REVERSE
RECO
VERY CURRENT
(
A)
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R1560P2, ISL9R1560G2,
ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S Rev. C1
www.fairchildsemi.com
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